钽电容的历史背景
钽电容的使用迄今已接近60年，钽电容以长期可靠性和容值密度而著称。它在军用和商用航空电子、可植入医疗电子、笔记本电脑、智能手机及工业自动化和控制系统设计中居于中心地位。
钽电容受欢迎主要因素是其体积效率产生的高单位体积容值。
容值公式：C=(kA)/d
其中：C=容值，k=介电常数，A=表面面积，d=电介质厚度
凭借极大的表面面积、高介电常数和相对较薄的电介质层，钽电容可在1µF至2,200µF容值范围内和最大50 V外加电压条件提供最佳的容值密度。
高级钽粉和高效率封装的结合使钽电容领先于替代技术。比如，目前的钽电容能以0402外壳尺寸在4V充电电压下提供22µF容值。在电压范围另一端，可找到采用单个封装，在50V充电电压下提供47µF容值的钽电容。传统钽电容的阴极系统使用二氧化锰(MnO2)材料。这种半导体材料提供自愈机制且相对便宜，但其富氧配方在高热的极端环境中容易导致起火。自上世纪90年代中期以来，导电聚合物技术趋于成熟，与MnO2产品形成互补。导电率显著高于MnO2，导电聚合物可降低ESR。这一进展与消除敏感应用中的起火危险相结合，推动了相关企业对这种技术的投资。
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